【專利摘要】一種真空鍍膜方法，包括以下步驟：提供一帶狀基材，該帶狀基材經(jīng)過(guò)螺旋盤繞之后圍成一圓筒狀結(jié)構(gòu)，該待鍍膜表面即為該圓筒狀結(jié)構(gòu)的外表面；將所述圓筒狀結(jié)構(gòu)置于真空鍍膜機(jī)中，該真空鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對(duì)所述待鍍膜表面進(jìn)行次鍍膜，形成一薄膜層；以及將所述圓筒狀結(jié)構(gòu)倒置，對(duì)所述待鍍膜表面進(jìn)行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層，兩次鍍膜后形成的鍍膜材料層整體厚度均勻。
【專利說(shuō)明】真空鍍膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種真空鍍膜方法。尤其涉及一種能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的在長(zhǎng)度較大、寬度較小的帶狀基材上鍍膜，及均勻的在長(zhǎng)度較大、直徑較小的管狀結(jié)構(gòu)內(nèi)壁上鍍膜的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]涂硼稻草管中子探測(cè)器，需要在其管狀內(nèi)壁上涂硼或碳化硼等薄膜，使其能夠探測(cè)中子。如何在長(zhǎng)度較大、直徑較小的管狀內(nèi)壁上大面積均勻鍍膜是實(shí)現(xiàn)涂硼稻草管中子探測(cè)器的關(guān)鍵技術(shù)。真空鍍膜方法為現(xiàn)有技術(shù)中常用的一種鍍膜方法。真空鍍膜法鍍膜速度較快，而且可以使得到的薄膜厚度較小，適合應(yīng)用于對(duì)薄膜的厚度具有較高要求的領(lǐng)域。
[0003]但是，現(xiàn)有的真空鍍膜方法，基于現(xiàn)有的真空鍍膜設(shè)備，常常由于被鍍材料源與被鍍基材不同位置的遠(yuǎn)近或者重力作用等原因，造成所鍍薄膜的厚度不均勻。因此，很難在一曲面上實(shí)現(xiàn)大面積均勻鍍膜；很難在長(zhǎng)度較大、寬度較小的帶狀基材表面實(shí)現(xiàn)均勻鍍膜；很難在長(zhǎng)度較大、直徑較小的管狀結(jié)構(gòu)內(nèi)壁上實(shí)現(xiàn)均勻鍍膜。從而限制了真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，確有必要提供一種可以實(shí)現(xiàn)大面積均勻鍍膜，及在長(zhǎng)度較大、寬度較小的帶狀基材表面均勻鍍膜的真空鍍膜方法。進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在長(zhǎng)度較大、直徑較小的管狀內(nèi)壁上均勻鍍膜。
[0005]一種真空鍍膜方法，包括以下步驟:提供一帶狀基材，該帶狀基材經(jīng)過(guò)螺旋盤繞之后圍成一圓筒狀結(jié)構(gòu)，該待鍍膜表面即為該圓筒狀結(jié)構(gòu)的外表面；將所述圓筒狀結(jié)構(gòu)置于真空鍍膜機(jī)中，該真空鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對(duì)所述待鍍膜表面進(jìn)行次鍍膜，形成一薄`膜層；以及將所述圓筒狀結(jié)構(gòu)倒置，對(duì)所述待鍍膜表面進(jìn)行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層，兩次鍍膜后形成的鍍膜材料層整體厚度均勻。
[0006]一種真空鍍膜方法，包括以下步驟:提供一基材，該基材具有一待鍍膜表面，使待鍍膜表面形成一曲面，該曲面為一圓筒狀結(jié)構(gòu)的至少部分外表面；將所述基材置于真空鍍膜機(jī)中，該真空鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對(duì)基材的待鍍膜表面進(jìn)行次鍍膜，形成一薄膜層；以及將所述基材倒置，對(duì)該基材的待鍍膜表面進(jìn)行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層。
[0007]本發(fā)明所提供的真空鍍膜方法，通過(guò)將一基材圍成一圓筒狀結(jié)構(gòu)，該圓筒狀結(jié)構(gòu)的外表面為待鍍膜表面，通過(guò)對(duì)該待鍍膜旋轉(zhuǎn)前后的兩次鍍膜，將鍍膜材料在真空腔中蒸鍍到基材上，可以消除被鍍膜材料源到待鍍膜表面距離或者重力等原因?qū)Ρ∧ず穸鹊挠绊?，可在基材表面?shí)現(xiàn)大面積均勻鍍膜；另外，本發(fā)明通過(guò)將一帶狀基材螺旋盤繞成一圓筒狀結(jié)構(gòu)，可以在長(zhǎng)度較大、寬度較小的帶狀基材表面實(shí)現(xiàn)均勻鍍膜；通過(guò)將鍍制完成后的帶狀基材展開，并將所述帶狀基材卷制成管狀結(jié)構(gòu)，卷制成管狀結(jié)構(gòu)過(guò)程中被鍍膜表面設(shè)定為所述管狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面，可以長(zhǎng)度較大、直徑較小的管狀結(jié)構(gòu)內(nèi)壁上實(shí)現(xiàn)均勻鍍膜。本發(fā)明還具有的涂膜效率高、生產(chǎn)設(shè)備簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的真空鍍膜方法的流程圖。
[0009]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的真空鍍膜方法所采用的真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的帶狀基材固定于支撐體表面后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種真空鍍膜方法，包括以下步驟: S1:提供一帶狀基材，該帶狀基材經(jīng)過(guò)螺旋盤繞之后圍成一圓筒狀結(jié)構(gòu)，待鍍膜表面即為該圓筒狀結(jié)構(gòu)的外表面； S2:將所述圓筒狀結(jié)構(gòu)置于真空鍍膜機(jī)中，該真空鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對(duì)所述待鍍膜表面進(jìn)行次鍍膜，形成一薄膜層；以及； S3:將所述圓筒狀結(jié)構(gòu)倒置，對(duì)所述待鍍膜表面進(jìn)行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層，兩次鍍膜后形成的鍍膜材料層整體厚度均勻。
2.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，可進(jìn)一步包括步驟S4:將步驟S3得到的已鍍膜的帶狀基材展開后重新卷制成一管狀結(jié)構(gòu)，卷制過(guò)程中被鍍膜表面設(shè)定為管狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面。
3.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟SI中進(jìn)一步包括提供一支撐體，所述支撐體為圓筒或圓柱體，所述帶狀基材螺旋盤繞設(shè)置于該支撐體的外表面。
4.如權(quán)利要求3所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述支撐體外表面設(shè)置有螺旋型凹槽，該螺旋型凹槽的寬度與所述帶狀基材的寬度相互吻合，將所述帶狀基材沿所述螺旋型凹槽纏繞于所述支撐體的外表面，帶狀基材位于凹槽內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下步驟: 將所述圓筒狀結(jié)構(gòu)固定于真空鍍膜機(jī)的真空腔內(nèi)的一旋轉(zhuǎn)裝置上； 將待鍍膜材料設(shè)置于真空腔內(nèi)，并與所述圓筒狀結(jié)構(gòu)和旋轉(zhuǎn)裝置間隔設(shè)置； 對(duì)真空腔進(jìn)行抽真空，使真空`腔內(nèi)保持一定的真空度； 使所述圓筒狀結(jié)構(gòu)圍繞其中心軸勻速旋轉(zhuǎn)，利用電子束轟擊待鍍膜材料，使待鍍膜材料蒸發(fā)后沉積在所述待鍍膜表面，形成薄膜層。
6.如權(quán)利要求5所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述圓筒狀結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中，待鍍膜材料與所述圓筒狀結(jié)構(gòu)中心軸的距離保持不變。
7.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，在步驟S3中，所述圓筒狀結(jié)構(gòu)倒置后的中心軸的位置不變，所述對(duì)帶狀基材的待鍍膜表面進(jìn)行第二次鍍膜的具體步驟與對(duì)該待鍍膜表面進(jìn)行次鍍膜的具體步驟相同。
8.一種真空鍍膜方法，包括以下步驟: 提供一基材，該基材具有一待鍍膜表面，使待鍍膜表面形成一曲面，該曲面為一圓筒狀結(jié)構(gòu)的至少部分外表面； 將所述基材置于真空鍍膜機(jī)中，該真空鍍膜機(jī)內(nèi)設(shè)置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對(duì)基材的待鍍膜表面進(jìn)行次鍍膜，形成一薄膜層；以及 將所述基材倒置，對(duì)該基材的待鍍膜表面進(jìn)行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層。
9.如權(quán)利要求8所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述基材為圓柱或圓筒狀結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求8所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述基材為一二維的層狀結(jié)構(gòu)，所述二維的層狀結(jié)構(gòu)圍成一曲面，該曲面為一圓筒狀結(jié)構(gòu)的至少部分外表面。
