我們可以看出由于在化學(xué)反應(yīng)方法制備鍍膜時，人們無法精確控制化學(xué)反應(yīng)池中每一小區(qū)域的反應(yīng)情況，所以在很大程度上人們無法在生產(chǎn)過程中精密的控制膜層的均勻厚度。在相當(dāng)多的情況下被鍍物品不答應(yīng)參加化學(xué)反應(yīng)。例如在制作單項透光玻璃鍍膜時如玻璃也參與化學(xué)反應(yīng)就有可能玻璃損壞表面，透光性下降，這也就失往了鍍膜意義。最嚴(yán)重的題目是，決大多數(shù)用過的化學(xué)制劑、輔助添加劑、催化劑都是有強污染性的，有些是有劇毒的，他給人類及大自然所帶來的損害是巨大、甚至實災(zāi)難性的。有些膜系用化學(xué)方法是無法制備的。
從現(xiàn)代物理學(xué)中我們知道，在真空環(huán)境中，物質(zhì)中的帶電粒子輕易逃離物質(zhì)體本身而成為自由粒子，在一定的溫度與電場的同時作用下，這種現(xiàn)象更輕易發(fā)生。實際上電子真空管就是利用這一原理而發(fā)明的。利用上述原理鍍膜的方法就是通常所說的物理制膜法，也稱為干法鍍膜?？梢钥闯觯煞ㄥ兡ぶ械墓ぷ饕赜校?/div>
1. 真空環(huán)境（即真空反應(yīng)室）。
2. 參與反應(yīng)的電極。
這就沒有了化學(xué)制劑、輔助添加劑、催化劑這些難以回收處理的制劑。
物理鍍膜的三種方法
1．蒸發(fā)鍍膜
它是將需鍍物質(zhì)用加熱、蒸發(fā)、升華的方法或利用電子往濺射需鍍物質(zhì)的方法而產(chǎn)生蒸汽，蒸汽附著在被鍍膜物體表面形成膜的方法。
2．濺射鍍膜
使用高能電子往濺射需鍍的物質(zhì)，將需鍍物質(zhì)中的粒子轟擊出來后而附著在被鍍物體上形成膜的方法。
3．離子鍍膜
蒸發(fā)鍍膜與濺射鍍膜相結(jié)合就形成了離子鍍膜的方式。
濺射過程通常是在有氣體放電時發(fā)生，因而下面將討論對濺射過程很重要的氣體放電情況。
直放逐電
最簡單情況是直流電壓氣體放電，根據(jù)下圖所示電流/電壓曲線，可很好地討論一種氣體放電的形成。
一 種直流輝光放電的 成
在兩極之間加直流電壓，首先產(chǎn)生很小的電流，由于僅有幾個電離粒子能對電流有貢獻，增大電壓使荷電粒子獲得足夠的能量，以便通過碰撞電離產(chǎn)生更多的荷電粒子，這導(dǎo)致放電電流的線性增長，而電壓受電源電壓的高輸出阻抗所現(xiàn)仍為恒量。這個范圍的放電常稱為“湯森（Townsend）放電”。
在一定的條件下，能夠發(fā)生一種雪崩過程，離子撞擊陰極，并在那里開釋二次電子，這些二次電子在陰極電場中被加速，由于與殘余氣體原子和分子相碰撞而產(chǎn)生新的離子，這些離子再次向著陰極被加速，又產(chǎn)生新的二次電子。假如產(chǎn)生的電子數(shù)足以產(chǎn)生這樣多的離子，以使這些離子能再一次產(chǎn)生相同數(shù)目的電子，這一條件能達(dá)到的話，則放電是自持放電。
在這種條件下，氣體開始發(fā)出輝光，電壓忽然下降，電流驟升，這種放電稱為“正常放電”。對大多數(shù)材料來說，每個進射離子所產(chǎn)生的二次電子數(shù)接近0.1，所以要開釋一個二次電子，必須大約有10至20個離子撞擊給定表面，被轟擊的陰極表面在這個范圍內(nèi)適應(yīng)放電現(xiàn)象，這樣放電得以持續(xù)，但這就導(dǎo)致無規(guī)律的轟擊印記。
進一步增加所用功率，可獲得電流強度的一種均勻分布，終極引起電流和電壓上升，這個范圍被稱為“異常”放電，它適用于陰極濺射。當(dāng)我們將真空裝置中的真空度、電壓維持在一定范圍時陰極濺射可持續(xù)進行下往。
由于在現(xiàn)代物理中，精確控制真空裝置中電極上的電壓、電場的方向、加電時間等是非常輕易的，所以在這種環(huán)境中就可以按人們的意愿制作出性能優(yōu)良的膜系。
但是，從上述中我們看出，在真空裝置電極上所加電壓為直流電，這就產(chǎn)生了以下的題目：
1. 由于長時間的工作，在陰極的表面會出現(xiàn)氧化現(xiàn)象，使陰極不能正常工作。在產(chǎn)生氧化后，陰極可能出現(xiàn)“打火”的現(xiàn)象，這在實際工作中叫靶中毒（在
真空鍍膜行業(yè)中將參加反應(yīng)的電極稱作靶），是有害的。
2. 由于非金屬是不導(dǎo)電的，所以用這種方法無法制備非金屬膜。
在靶上施加直流電壓時的工作示意圖：
