本實(shí)用新型屬于真空鍍膜領(lǐng)域，具體涉及一種新型真空鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)：
真空鍍膜在工業(yè)上應(yīng)用很廣泛，在蒸鍍過程中，在蒸發(fā)源的高熱量下，當(dāng)薄膜運(yùn)行速度小于一定值時(shí)極易熔斷，速度快了鍍膜厚度又達(dá)不到要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
根據(jù)上述闡述，本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型真空鍍膜機(jī)，可以使基材在不至于速度過低被熔斷的情況下達(dá)到有效增加鍍層金屬厚度的目的。
本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案：一種新型真空鍍膜機(jī)，包括抽真空的箱體，所述箱體內(nèi)的左右兩端的上部分別設(shè)有基材放卷軸和基材收卷軸，所述基材放卷軸和基材收卷軸之間的下方設(shè)有多個(gè)冷卻輥，所述冷卻輥的下方分別設(shè)置有一個(gè)蒸發(fā)源。
在上述技術(shù)方案中，所述基材放卷軸和冷卻輥之間、相鄰冷卻輥之間以及冷卻輥和基材收卷軸之間分別設(shè)有轉(zhuǎn)軸。
在上述技術(shù)方案中，所述箱體右側(cè)上部還設(shè)置有一個(gè)觀察窗。
本實(shí)用新型在一套真空鍍膜機(jī)加入多個(gè)蒸發(fā)源對(duì)運(yùn)動(dòng)中的基材進(jìn)行連續(xù)不斷的蒸鍍沉積，并對(duì)每次蒸鍍進(jìn)行冷卻，可以使基材在不至于速度過低被熔斷的情況下達(dá)到有效增加鍍層金屬厚度的目的。
附圖說明
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
其中：1、箱體；2、真空泵；3、基材放卷軸；4、冷卻輥；5、轉(zhuǎn)軸；6、基材收卷軸；7、蒸發(fā)源；8、觀察窗。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
本實(shí)用新型提供了一種新型真空鍍膜機(jī)，包括抽真空的箱體，箱體一側(cè)設(shè)有真空泵，箱體內(nèi)的左右兩端的上部分別設(shè)有基材放卷軸和基材收卷軸，基材放卷軸和基材收卷軸之間的下方設(shè)有多個(gè)冷卻輥，冷卻輥的下方分別設(shè)置有一個(gè)蒸發(fā)源。箱體右側(cè)上部還設(shè)置有一個(gè)觀察窗，用于觀察箱內(nèi)情況。
基材放卷軸和冷卻輥之間、相鄰冷卻輥之間以及冷卻輥和基材收卷軸之間分別設(shè)有轉(zhuǎn)軸。
一種鍍膜工藝，包括以下步驟：將基材卷在基材放卷軸上，先后通過多個(gè)冷卻輥進(jìn)行多次鍍膜后到達(dá)基材收卷軸。本實(shí)施方式中冷卻輥的數(shù)量大于等于兩個(gè)，基材為2-12μm的PET薄膜或OPP(鄰苯基苯酚)薄膜，蒸發(fā)源的加熱溫度為1400-2000℃，基材的運(yùn)行速度5-100米/分鐘。
本實(shí)用新型在一次裝料一次抽真空情況下，對(duì)薄膜進(jìn)行多次蒸鍍，多次冷卻，在保證薄膜不被熔斷的前提下，有效的增加了金屬鍍層的厚度，大大提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
